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NDT3055L

厂商名称：ON安森美

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-223, 表面安装

英文描述：

Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab)SOT-223 T/R

数据手册：

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NDT3055L概述

NDT3055L是采用高单元密度DMOS技术的N沟道逻辑电平增强型模具MOSFET。这种非常高密度的工艺经过特别定制，以最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件特别适用于低压应用，例如DC/DC转换器、PWM电机控制和其他需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬变能力的电池供电电路。

用于极低RDS(ON)的高密度电池设计

高功率和电流处理能力

低驱动要求允许直接从逻辑驱动器操作

应用

电源管理，电机驱动与控制，车用

NDT3055L中文参数

通道类型	N	晶体管配置	单
最大连续漏极电流	4A	最大栅源电压	-20 V、+20 V
最大漏源电压	60 V	每片芯片元件数目	1
封装类型	SOT-223	高度	1.6mm
安装类型	表面贴装	宽度	3.56mm
引脚数目	3 + Tab	最低工作温度	-65 °C
最大漏源电阻值	100 mΩ	长度	6.5mm
通道模式	增强	典型栅极电荷@Vgs	13 nC @ 10 V
最小栅阈值电压	1V	最高工作温度	+150 °C
最大功率耗散	3 W	晶体管材料	Si